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规格书 |
![]() IPx16CN10N G ![]() |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 53A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 16 mOhm @ 53A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 61µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 48nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3220pF @ 50V |
功率 - 最大 | 100W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称; |
FET特点 | Standard |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 53A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 61µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
标准包装 | 2,500 |
供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 16 mOhm @ 53A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 100W |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 3220pF @ 50V |
其他名称 | SP000096454 |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 48nC @ 10V |
晶体管极性 | :N Channel |
Continuous Drain Current Id | :53A |
Drain Source Voltage Vds | :100V |
On Resistance Rds(on) | :12.2mohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :3V |
功耗 | :100W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :175°C |
Transistor Case Style | :TO-252 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :MSL 3 - 168 hours |
Current Id Max | :53A |
工作温度范围 | :-55°C to +175°C |
晶体管类型 | :Power MOSFET |
Voltage Vgs Max | :20V |
Weight (kg) | 0.002 |
Tariff No. | 85412900 |
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