1. IPD16CN10N G
  2. IPD16CN10N G

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPD16CN10N G 

产品描述

MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 53A

内部编号

173-IPD16CN10N-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:0
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPD16CN10N G产品详细规格

规格书 IPD16CN10N G datasheet 规格书
IPx16CN10N G
IPD16CN10N G datasheet 规格书
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 53A
Rds(最大)@ ID,VGS 16 mOhm @ 53A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 61µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 48nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 3220pF @ 50V
功率 - 最大 100W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 PG-TO252-3
包装材料 Tape & Reel (TR);;其他的名称;
FET特点 Standard
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 53A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 61µA
漏极至源极电压(Vdss) 100V
标准包装 2,500
供应商设备封装 PG-TO252-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 16 mOhm @ 53A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 100W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
输入电容(Ciss ) @ VDS 3220pF @ 50V
其他名称 SP000096454
闸电荷(Qg ) @ VGS 48nC @ 10V
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :53A
Drain Source Voltage Vds :100V
On Resistance Rds(on) :12.2mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :3V
功耗 :100W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :175°C
Transistor Case Style :TO-252
No. of Pins :3
MSL :MSL 3 - 168 hours
Current Id Max :53A
工作温度范围 :-55°C to +175°C
晶体管类型 :Power MOSFET
Voltage Vgs Max :20V
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900

IPD16CN10N G系列产品

IPD16CN10N G也可以通过以下分类找到

IPD16CN10N G相关搜索

订购IPD16CN10N G.产品描述:MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 53A. 生产商: Infineon Technologies.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-82149008
    010-82149488
    010-82149921
    010-62155488
    010-57196138
  • 深圳
  • 0755-83997440
    0755-82511472
    0755-83975736
    0755-83247615
  • 苏州
  • 0512-67683728
    0512-67687578
    0512-68796728
    0512-67684200
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com