图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IP(D,F,S,U)135N03L G |
| 文档 |
Multiple Devices 26/Jul/2012 Multiple Devices 19/Mar/2010 |
| 产品更改通知 | Product Discontinuation 26/Jul/2012 |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 30A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 13.5 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 10nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1000pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 31W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称； |
| 包装 | 3TO-252 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 30 A |
| RDS -于 | 13.5@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 3 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 典型下降时间 | 2.2 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 30A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 13.5 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 31W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1000pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 10nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IPD135N03LGINCT |
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