规格书 |
![IPD035N06L3 G datasheet 规格书](//oneic.com/images/pdf.gif)
![IPD035N06L3 G datasheet 规格书](//oneic.com/images/pdf.gif)
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
2,500 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) |
60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
90A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
3.5 mOhm @ 90A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
2.2V @ 93µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
79nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
13000pF @ 30V |
功率 - 最大 |
167W |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 |
PG-TO252-3 |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
3TO-252 |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
60 V |
最大连续漏极电流 |
90 A |
RDS -于 |
3.5@10V mOhm |
最大门源电压 |
±20 V |
典型导通延迟时间 |
25 ns |
典型上升时间 |
78 ns |
典型关闭延迟时间 |
64 ns |
典型下降时间 |
13 ns |
工作温度 |
-55 to 175 °C |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Tape & Reel |
P( TOT ) |
167W |
匹配代码 |
IPD035N06L3 G |
R( THJC ) |
0.9K/W |
LogicLevel |
YES |
单位包 |
2500 |
标准的提前期 |
14 weeks |
最小起订量 |
2500 |
Q(克) |
79nC |
LLRDS (上) |
0.0055Ohm |
汽车 |
NO |
LLRDS (上)在 |
4.5V |
我(D ) |
90A |
V( DS ) |
60V |
技术 |
OptiMOS |
的RDS(on ) at10V |
0.0035Ohm |
无铅Defin |
RoHS-conform |
FET特点 |
Logic Level Gate |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
90A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
2.2V @ 93µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
60V |
供应商设备封装 |
PG-TO252-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
3.5 mOhm @ 90A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
167W |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
13000pF @ 30V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
79nC @ 4.5V |
封装/外壳 |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 |
IPD035N06L3 GCT |
工厂包装数量 |
2500 |
晶体管极性 |
N-Channel |
连续漏极电流 |
90 A |
封装/外壳 |
TO-252 |
零件号别名 |
IPD035N06L3GATMA1 SP000398066 |
下降时间 |
13 ns |
安装风格 |
SMD/SMT |
产品种类 |
MOSFET |
商品名 |
OptiMOS |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 175 C |
RoHS |
RoHS Compliant |
源极击穿电压 |
+/- 20 V |
系列 |
IPD035N06 |
RDS(ON) |
3.5 mOhms |
功率耗散 |
167 W |
最低工作温度 |
- 55 C |
上升时间 |
78 ns |
漏源击穿电压 |
60 V |