规格书 |
![]() IPx80N03S4L-02,03 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 80A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 2.4 mOhm @ 80A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.2V @ 90µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 140nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 9750pF @ 25V |
功率 - 最大 | 136W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
P( TOT ) | 136W |
匹配代码 | IPB80N03S4L-02 |
安装 | SMD |
R( THJC ) | 1.1K/W |
LogicLevel | YES |
包装 | TO263-3 |
单位包 | 1000 |
标准的提前期 | 18 weeks |
最小起订量 | 1 |
Q(克) | 140nC |
LLRDS (上) | 0.0029Ohm |
汽车 | AEC-Q(100) |
LLRDS (上)在 | 4.5V |
我(D ) | 80A |
V( DS ) | 30V |
技术 | OptiMOS T2 |
的RDS(on ) at10V | 0.0024Ohm |
无铅Defin | RoHS-conform |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 80A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.2V @ 90µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
标准包装 | 1,000 |
供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 2.4 mOhm @ 80A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 136W |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 9750pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 140nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | IPB80N03S4L-02INDKR |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 16 V |
连续漏极电流 | 80 A |
系列 | IPB80N03 |
RDS(ON) | 2.4 mOhms |
功率耗散 | 136 W |
最低工作温度 | - 55 C |
典型关闭延迟时间 | 62 ns |
零件号别名 | IPB80N03S4L02ATMA1 SP000273282 |
上升时间 | 9 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 30 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 13 ns |
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