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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPB80N03S4L-02 

产品描述

MOSFET OPTIMOS-T2 PWR-TRANS 30V 80A 2.4mOhms

内部编号

173-IPB80N03S4L-02

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:1150
1000+¥5.49
最小起订量:1000
英国伦敦
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#2

数量:1250
25+¥7.771
50+¥7.3815
125+¥7.049
250+¥6.9635
500+¥6.897
最小起订量:25
英国伦敦
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#3

数量:1350
25+¥7.771
50+¥7.3815
125+¥7.049
250+¥6.9635
500+¥6.897
最小起订量:25
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPB80N03S4L-02产品详细规格

规格书 IPB80N03S4L-02 datasheet 规格书
IPx80N03S4L-02,03
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 80A
Rds(最大)@ ID,VGS 2.4 mOhm @ 80A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.2V @ 90µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 140nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 9750pF @ 25V
功率 - 最大 136W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 PG-TO263-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
P( TOT ) 136W
匹配代码 IPB80N03S4L-02
安装 SMD
R( THJC ) 1.1K/W
LogicLevel YES
包装 TO263-3
单位包 1000
标准的提前期 18 weeks
最小起订量 1
Q(克) 140nC
LLRDS (上) 0.0029Ohm
汽车 AEC-Q(100)
LLRDS (上)在 4.5V
我(D ) 80A
V( DS ) 30V
技术 OptiMOS T2
的RDS(on ) at10V 0.0024Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 80A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.2V @ 90µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
标准包装 1,000
供应商设备封装 PG-TO263-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 2.4 mOhm @ 80A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 136W
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
输入电容(Ciss ) @ VDS 9750pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 140nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 IPB80N03S4L-02INDKR
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 +/- 16 V
连续漏极电流 80 A
系列 IPB80N03
RDS(ON) 2.4 mOhms
功率耗散 136 W
最低工作温度 - 55 C
典型关闭延迟时间 62 ns
零件号别名 IPB80N03S4L02ATMA1 SP000273282
上升时间 9 ns
最高工作温度 + 175 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 13 ns

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