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厂商型号

IPB60R299CPAATMA1 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-263 T/R

内部编号

173-IPB60R299CPAATMA1

#1

数量:624
1+¥20.1028
10+¥16.137
100+¥14.7011
250+¥13.2651
500+¥11.8976
1000+¥9.983
2000+¥9.5044
5000+¥8.7523
最小起订量:1
美国加州
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IPB60R299CPAATMA1产品详细规格

最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
标准包装名称 D2PAK
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 299@10V
最大漏源电压 600
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 TO-263
最大功率耗散 96000
最大连续漏极电流 11
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
工厂包装数量 1000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V
晶体管极性 N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
宽度 9.25 mm
Qg - Gate Charge 29 nC
封装/外壳 TO-263-3
下降时间 5 ns
品牌 Infineon Technologies
通道数 1 Channel
商品名 CoolMOS
配置 1 N-Channel
最高工作温度 + 150 C
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 11 A
长度 10 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 270 mOhms
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 40 ns
系列 CoolMOS CPA
身高 4.4 mm
安装风格 SMD/SMT
典型导通延迟时间 10 ns
最低工作温度 - 40 C
Pd - Power Dissipation 96 W
上升时间 5 ns
技术 Si

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