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数量:0 |
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| 规格书 |
 IPB,IPP070N06L G |
| 文档 |
Multiple Devices 11/Dec/2009 |
| 产品更改通知 | Product Discontinuation 11/Dec/2009 |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 80A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 6.7 mOhm @ 80A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 150µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 126nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 4300pF @ 30V |
| 功率 - 最大 | 214W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称； |
| P（ TOT ） | 214W |
| 匹配代码 | IPB070N06L G |
| 安装 | SMD |
| R（ THJC ） | 0.7K/W |
| LogicLevel | YES |
| 包装 | TO263-3 |
| 单位包 | 1000 |
| 标准的提前期 | 14 weeks |
| 最小起订量 | 1000 |
| Q（克） | 126nC |
| LLRDS （上） | 0.0097Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | 4.5V |
| 我（D ） | 80A |
| V（ DS ） | 60V |
| 技术 | OptiMOS |
| 的RDS（on ） at10V | 0.0067Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 80A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 150µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 标准包装 | 1,000 |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.7 mOhm @ 80A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 214W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4300pF @ 30V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 126nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IPB070N06LGINDKR |
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