1. IPB015N04L G
  2. IPB015N04L G
  3. IPB015N04L G
  4. IPB015N04L G

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPB015N04L G 

产品描述

MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 120A

内部编号

173-IPB015N04L-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:225
1+¥21.5388
10+¥18.2567
100+¥15.8635
250+¥15.0429
500+¥13.4703
1000+¥11.3506
2000+¥10.7352
5000+¥9.8463
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

#2

数量:3216
1+¥25.7175
10+¥23.1013
100+¥18.9287
500+¥16.1135
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPB015N04L G产品详细规格

规格书 IPB015N04L G datasheet 规格书
IPB015N04L G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 40V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 120A
Rds(最大)@ ID,VGS 1.5 mOhm @ 100A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 200µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 346nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 28000pF @ 25V
功率 - 最大 250W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 PG-TO263-2
包装材料 Tape & Reel (TR)
P( TOT ) 250W
匹配代码 IPB015N04L G
安装 SMD
R( THJC ) 0.5K/W
LogicLevel YES
包装 TO263-3
单位包 1000
标准的提前期 14 weeks
最小起订量 1000
Q(克) 346nC
LLRDS (上) 0.0018Ohm
汽车 NO
LLRDS (上)在 4.5V
我(D ) 120A
V( DS ) 40V
技术 OptiMOS
的RDS(on ) at10V 0.0015Ohm
无铅Defin RoHS-conform
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 120A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 200µA
漏极至源极电压(Vdss) 40V
供应商设备封装 PG-TO263-2
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 1.5 mOhm @ 100A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 250W
标准包装 1,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 28000pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 346nC @ 10V
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 IPB015N04L GCT
工厂包装数量 1000
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 120 A
封装/外壳 TO-263
零件号别名 IPB015N04LGATMA1 SP000387948
下降时间 21 ns
安装风格 SMD/SMT
产品种类 MOSFET
商品名 OptiMOS
配置 Single
最高工作温度 + 175 C
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 108 ns
源极击穿电压 +/- 20 V
系列 IPB015N04
RDS(ON) 1.5 mOhms
功率耗散 250 W
最低工作温度 - 55 C
上升时间 13 ns
漏源击穿电压 40 V
Continuous Drain Current Id :120A
Drain Source Voltage Vds :40V
On Resistance Rds(on) :1.2mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :4.5V
功耗 :250W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :175°C
Transistor Case Style :TO-263
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
Current Id Max :120A
工作温度范围 :-55°C to +175°C
晶体管类型 :Power MOSFET
Voltage Vgs Max :20V
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412900

IPB015N04L G系列产品

IPB015N04L G相关搜索

订购IPB015N04L G.产品描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 120A. 生产商: Infineon Technologies.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-82149008
    010-82149488
    010-82149921
    010-57196138
    010-62155488
  • 深圳
  • 0755-83247615
    0755-83975736
    0755-83997440
    0755-82511472
  • 苏州
  • 0512-67684200
    0512-67683728
    0512-68796728
    0512-67687578
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com