1. IPA65R099C6XKSA1
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厂商型号

IPA65R099C6XKSA1 

产品描述

MOSFET N-CH 650V 38A TO220

内部编号

173-IPA65R099C6XKSA1

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:8450
1+¥35.5971
25+¥33.0545
100+¥31.6676
500+¥30.4348
1000+¥28.8937
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:165
1+¥49.3141
10+¥44.0195
100+¥36.0936
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPA65R099C6XKSA1产品详细规格

规格书 IPx65R099C6
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 38A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3.5V @ 1.2mA
漏极至源极电压(Vdss) 650V
标准包装 1
供应商设备封装 PG-TO220 Full Pack
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 99 mOhm @ 12.8A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 35W
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
输入电容(Ciss ) @ VDS 2780pF @ 100V
闸电荷(Qg ) @ VGS 127nC @ 10V
系列 IPA65R099
商品名 CoolMOS
零件号别名 SP000895220
RoHS RoHS Compliant
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 38A (Tc)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 500
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 650 V
晶体管极性 N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
宽度 4.85 mm
Qg - Gate Charge 127 nC
下降时间 6 ns
品牌 Infineon Technologies
通道数 1 Channel
配置 1 N-Channel
最高工作温度 + 150 C
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 38 A
长度 10.65 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 89 mOhms
典型关闭延迟时间 77 ns
通道模式 Enhancement
身高 16.15 mm
安装风格 Through Hole
典型导通延迟时间 10.6 ns
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 35 W
上升时间 9 ns
技术 Si

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