规格书 |
IPx65R099C6 |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 38A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.5V @ 1.2mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
标准包装 | 1 |
供应商设备封装 | PG-TO220 Full Pack |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 99 mOhm @ 12.8A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 35W |
封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2780pF @ 100V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 127nC @ 10V |
系列 | IPA65R099 |
商品名 | CoolMOS |
零件号别名 | SP000895220 |
RoHS | RoHS Compliant |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 38A (Tc) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 500 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
宽度 | 4.85 mm |
Qg - Gate Charge | 127 nC |
下降时间 | 6 ns |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 1 Channel |
配置 | 1 N-Channel |
最高工作温度 | + 150 C |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 38 A |
长度 | 10.65 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 89 mOhms |
典型关闭延迟时间 | 77 ns |
通道模式 | Enhancement |
身高 | 16.15 mm |
安装风格 | Through Hole |
典型导通延迟时间 | 10.6 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
Pd - Power Dissipation | 35 W |
上升时间 | 9 ns |
技术 | Si |
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