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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IKW25N120T2 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247

内部编号

173-IKW25N120T2

生产厂商

infineon technologies

infineon

#1

数量:192
1+¥33.4397
25+¥31.0511
100+¥29.8183
500+¥28.6626
1000+¥27.1986
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:38
2+¥43.2725
4+¥42.256
20+¥40.5175
40+¥40.1185
100+¥39.7195
最小起订量:2
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#3

数量:96
2+¥43.2725
4+¥42.256
20+¥40.5175
40+¥40.1185
100+¥39.7195
最小起订量:2
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IKW25N120T2产品详细规格

规格书 IKW25N120T2 datasheet 规格书
IKW25N120T2 datasheet 规格书
IKW25N120T2
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 240
IGBT 型 Trench
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 25A
- 集电极电流(Ic)(最大) 50A
功率 - 最大 349W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3
包装材料 Tube
包装 3TO-247
配置 Single
最大集电极发射极电压 1200 V
最大连续集电极电流 50 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
P( TOT ) 349W
匹配代码 IKW25N120T2
I(C ) 50A
TD (上) 27nS
单位包 30
标准的提前期 22 weeks
最小起订量 30
T( R) 20nS
无铅Defin RoHS-conform
TD (关闭) 265nS
技术 TrenchStop
汽车 NO
V( CE ) 1200V
V( CESAT ) 2.2V
Bodydiode YES
栅极电荷 120nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 50A
安装类型 Through Hole
开关能量 2.9mJ
时间Td(开/关) @ 25°C 27ns/265ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.2V @ 15V, 25A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 PG-TO247-3
反向恢复时间(trr ) 195ns
封装 Tube
功率 - 最大 349W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3
IGBT类型 Trench
测试条件 600V, 25A, 16.4 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 100A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极 - 发射极饱和电压 2.2 V
产品种类 IGBT Transistors
连续集电极电流Ic最大 50 A
系列 IKW25N120
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1200 V
安装风格 Through Hole
最低工作温度 - 40 C
零件号别名 IKW25N120T2FKSA1 SP000244960
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
案例 TO247
Transistor type IGBT
功率 349W
Collector-emitter voltage 1.2kV
Multiplicity 1
Collector current 50A
Gross weight 8.57 g
Collective package [pcs] 30
spg 30
associated BW50-2G
THFU 2
7MBP25RA-120-55

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