图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| IGBT 型 | NPT, Trench and Field Stop |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 10A |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 20A |
| 功率 - 最大 | 110W |
| Input 型 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT363-6 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3TO-263 |
| 配置 | Single |
| 最大集电极发射极电压 | 600 V |
| 最大连续集电极电流 | 20 A |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| P（ TOT ） | 110W |
| 匹配代码 | IKB10N60T |
| I（C ） | 20A |
| TD （上） | 12nS |
| 单位包 | 1000 |
| 标准的提前期 | 20 weeks |
| 最小起订量 | 1000 |
| T（ R） | 8nS |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| TD （关闭） | 215nS |
| 技术 | TrenchStop |
| 汽车 | NO |
| V（ CE ） | 600V |
| V（ CESAT ） | 2.05V |
| Bodydiode | YES |
| 栅极电荷 | 62nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 20A |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 开关能量 | 430µJ |
| 时间Td（开/关） @ 25°C | 12ns/215ns |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 2.05V @ 15V, 10A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| 供应商设备封装 | PG-TO-263 |
| 反向恢复时间（trr ） | 115ns |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 110W |
| 输入类型 | Standard |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| IGBT类型 | NPT, Trench and Field Stop |
| 测试条件 | 400V, 10A, 23 Ohm, 15V |
| 电流 - 集电极脉冲（ ICM ） | 30A |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品种类 | IGBT Transistors |
| 连续集电极电流Ic最大 | 20 A |
| 系列 | IKB10N60 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 零件号别名 | IKB10N60TATMA1 SP000014833 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管类型 | :IGBT |
| DC Collector Current | :10A |
| Collector Emitter Voltage Vces | :2.05V |
| 功耗 | :110W |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :600V |
| Operating Temperature Min | :-40°C |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-263 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (19-Dec-2012) |
| 工作温度范围 | :-40°C to +175°C |
| Power Dissipation Max | :110W |
| Weight (kg) | 0.00143 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | FSAM10SH60A |
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