图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BSZ16DN25NS3G |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 5,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 250V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 10.9A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 165 mOhm @ 5.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 32µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 11.4nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 920pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 62.5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | - |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| P（ TOT ） | 62.5W |
| 匹配代码 | BSZ16DN25NS3 G |
| 安装 | SMD |
| R（ THJC ） | 2K/W |
| LogicLevel | NO |
| 包装 | TSDSON-8 |
| 单位包 | 5000 |
| 标准的提前期 | 21 weeks |
| 最小起订量 | 5000 |
| Q（克） | 11.4nC |
| LLRDS （上） | n.s.Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | n.s.V |
| 我（D ） | 10.9A |
| V（ DS ） | 250V |
| 技术 | OptiMOS 3 |
| 的RDS（on ） at10V | 0.165Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10.9A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 32µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 250V |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 165 mOhm @ 5.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 62.5W |
| 标准包装 | 5,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 920pF @ 100V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 11.4nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BSZ16DN25NS3GCT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 10.9 A |
| 系列 | BSZ16DN25 |
| 封装/外壳 | PG-TDSON-8 |
| RDS（ON） | 146 mOhms |
| 功率耗散 | 62.5 W |
| 商品名 | OptiMOS |
| 正向跨导 - 闵 | 14 S, 7 S |
| 零件号别名 | BSZ16DN25NS3GATMA1 SP000781800 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 250 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
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