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| 规格书 |
 BSV236SP |
| 文档 |
Multiple Devices 30/Nov/2011 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 1.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 175 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.2V @ 8µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 5.7nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 228pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 560mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT363-6 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| P（ TOT ） | 0.56W |
| 匹配代码 | BSV236SP-L6327 |
| 包装 | SOT363 |
| 单位包 | 3000 |
| 标准的提前期 | 14 weeks |
| 最小起订量 | 3000 |
| 极化 | P-CHANNEL |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 我（D ） | 1.5A |
| V（ DS ） | 20V |
| R（ DS上） | 0.175Ohm |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.2V @ 8µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 标准包装 | 3,000 |
| 供应商设备封装 | PG-SOT363-6 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 175 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 560mW |
| 封装/外壳 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 228pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 5.7nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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