BSS139 L6327

产品描述

MOSFET N-CH 250V 0.1A

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规格书	BSS139
文档	Multiple Devices 25/Nov/2011
产品更改通知	Product Discontinuation 25/Nov/2011
标准包装	3,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Depletion 模式
漏极至源极电压（VDSS）	250V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	100mA
Rds（最大）@ ID，VGS	14 Ohm @ 0.1mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	1V @ 56µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	3.5nC @ 5V
输入电容（Ciss）@ Vds的	76pF @ 25V
功率 - 最大	360mW
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装	PG-SOT23-3
包装材料	Tape & Reel (TR);;其他的名称；
FET特点	Depletion Mode
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	100mA (Ta)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	1V @ 56µA
漏极至源极电压（Vdss）	250V
标准包装	3,000
供应商设备封装	PG-SOT23-3
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	14 Ohm @ 0.1mA, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	360mW
封装/外壳	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
输入电容（Ciss ） @ VDS	76pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	3.5nC @ 5V

型号	厂家	产品描述
BSS139 L6906	Infineon Technologies	MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 250V .03A
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