1. BSS126 H6327
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BSS126 H6327 

产品描述

MOSFET N-KANAL SMALL SIGNAL MOS

内部编号

173-BSS126-H6327

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:12250
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

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BSS126 H6327产品详细规格

规格书 BSS126 H6327 datasheet 规格书
BSS126
BSS126 H6327 datasheet 规格书
文档 Multiple Devices 25/Nov/2011
产品更改通知 Product Discontinuation 25/Nov/2011
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Depletion 模式
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 21mA
Rds(最大)@ ID,VGS 500 Ohm @ 16mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.6V @ 8µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 2.1nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 28pF @ 25V
功率 - 最大 500mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SOT23-3
包装材料 Tape & Reel (TR);;其他的名称;
P( TOT ) 0.5W
匹配代码 BSS126 H6327
包装 SOT23
单位包 3000
标准的提前期 8 weeks
最小起订量 3000
极化 N-CHANNEL
无铅Defin RoHS-conform
汽车 AEC-Q(101)
我(D ) 0.007A
V( DS ) 600V
R( DS上) 500Ohm
FET特点 Depletion Mode
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 21mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.6V @ 8µA
漏极至源极电压(Vdss) 600V
标准包装 3,000
供应商设备封装 PG-SOT23-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 500 Ohm @ 16mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 500mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
输入电容(Ciss ) @ VDS 28pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 2.1nC @ 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :21mA
Drain Source Voltage Vds :600V
On Resistance Rds(on) :280ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :10V
Threshold Voltage Vgs :-2V
功耗 :500mW
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :-
工作温度范围 :-55°C to +150°C
Weight (kg) 0.0001
Tariff No. 85044090

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