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规格书 |
BSP149 |
文档 |
Multiple Devices 28/Mar/2008 |
产品更改通知 | Product Discontinuation 28/Mar/2008 |
标准包装 | 1,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Depletion 模式 |
漏极至源极电压(VDSS) | 200V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 660mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1V @ 400µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 14nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 430pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1.8W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-261-4, TO-261AA |
供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称; |
FET特点 | Depletion Mode |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 660mA (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1V @ 400µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
标准包装 | 1,000 |
供应商设备封装 | PG-SOT223-4 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 1.8 Ohm @ 660mA, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1.8W |
封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 430pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 14nC @ 5V |
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