1. BSO150N03
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BSO150N03 

产品描述

MOSFET N-CH 30V 7.6A

内部编号

173-BSO150N03

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:9398
1+¥3.3131
25+¥3.082
100+¥3.0049
500+¥2.8508
1000+¥2.6967
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:9398
1+¥3.3131
25+¥3.082
100+¥3.0049
500+¥2.8508
1000+¥2.6967
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:6898
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BSO150N03产品详细规格

规格书 BSO150N03 datasheet 规格书
BSO150N03
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 7.6A
Rds(最大)@ ID,VGS 15 mOhm @ 9.1A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 25µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 15nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1890pF @ 15V
功率 - 最大 1.4W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 PG-DSO-8
包装材料 Tape & Reel (TR)
FET特点 Standard
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 7.6A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2V @ 25µA
漏极至源极电压(Vdss) 30V
供应商设备封装 PG-DSO-8
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 15 mOhm @ 9.1A, 10V
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 1.4W
标准包装 2,500
输入电容(Ciss ) @ VDS 1890pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 15nC @ 5V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
其他名称 BSO150N03INCT
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
漏源极电压 (Vdss) 30V
系列 OptiMOS™
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1890pF @ 15V
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 15 mOhm @ 9.1A, 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 15nC @ 5V
FET 功能 Standard
FET 类型 2 N-Channel (Dual)
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 25µA
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率 - 最大值 1.4W

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