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数量:7000 |
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| 规格书 |
 BSC0908NS |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 5,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 34V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 49A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 8 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 14nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1220pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8TDSON EP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 34 V |
| 最大连续漏极电流 | 14 A |
| RDS -于 | 8@10V mOhm |
| 最大门源电压 | 20 V |
| 典型导通延迟时间 | 4.6 ns |
| 典型上升时间 | 2.6 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 16.4 ns |
| 典型下降时间 | 2.8 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 14A (Ta), 49A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 34V |
| 供应商设备封装 | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 标准包装 | 5,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1220pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 14nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BSC0908NSCT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 49 A |
| 系列 | BSC0908 |
| 封装/外壳 | PG-TDSON-8 |
| RDS（ON） | 6.7 mOhms |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 商品名 | OptiMOS |
| 正向跨导 - 闵 | 56 S, 28 S |
| 零件号别名 | BSC0908NSATMA1 SP000847024 |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 34 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
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