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厂商型号

BSC057N08NS3GATMA1 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 80V 16A 8-Pin TDSON EP

内部编号

173-BSC057N08NS3GATMA1

#1

数量:1232
1+¥5.5476
25+¥5.1624
100+¥4.9312
500+¥4.7771
1000+¥4.5459
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:5108
1+¥8.9574
10+¥7.6582
100+¥5.8804
500+¥5.1967
1000+¥4.1026
2500+¥3.624
5000+¥3.5556
10000+¥3.4941
最小起订量:1
美国加州
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#3

数量:46617
1+¥12.7826
10+¥11.5672
100+¥9.2949
500+¥7.2295
1000+¥5.9901
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BSC057N08NS3GATMA1产品详细规格

最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
标准包装名称 SON
包装高度 1
安装 Surface Mount
最大功率耗散 2500
渠道类型 N
最大漏源电阻 5.7@10V
最低工作温度 -55
最大漏源电压 80
每个芯片的元件数 1
包装宽度 5.9
供应商封装形式 TDSON EP
包装长度 5.15
PCB 8
最大连续漏极电流 16
引脚数 8
铅形状 No Lead
工厂包装数量 5000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 80 V
晶体管极性 N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V
宽度 5.15 mm
Qg - Gate Charge 56 nC
封装/外壳 TDSON-8
下降时间 9 ns
封装 Reel
品牌 Infineon Technologies
通道数 1 Channel
商品名 OptiMOS
配置 1 N-Channel
最高工作温度 + 150 C
晶体管类型 1 N-Channel
正向跨导 - 闵 40 S
Id - Continuous Drain Current 100 A
长度 5.9 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 4.7 mOhms
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 32 ns
系列 BSC057N08
身高 1.27 mm
安装风格 SMD/SMT
典型导通延迟时间 16 ns
最低工作温度 - 55 C
Pd - Power Dissipation 114 W
上升时间 14 ns
技术 Si

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