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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BCR 191 E6327 

产品描述

Transistors Switching - Resistor Biased PNP Silicon Digital TRANSISTOR

内部编号

173-BCR-191-E6327

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:15918
1+¥1.2308
10+¥1.1692
100+¥0.4103
1000+¥0.2735
3000+¥0.212
9000+¥0.1846
24000+¥0.1641
36000+¥0.1436
72000+¥0.1231
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BCR 191 E6327产品详细规格

规格书 BCR 191 E6327 datasheet 规格书
BCR191
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 22k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) 22k
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 50 @ 5mA, 5V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) -
频率转换 200MHz
功率 - 最大 200mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SOT23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
频率 - 转换 200MHz
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 22k
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 500µA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 PG-SOT23-3
封装 Tape & Reel (TR)
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) 22k
功率 - 最大 200mW
标准包装 3,000
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型 Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 50 @ 5mA, 5V
其他名称 BCR 191 E6327CT
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
典型输入电阻 22 KOhms
工厂包装数量 3000
产品种类 Transistors Switching - Resistor Biased
晶体管极性 PNP
系列 BCR191
直流集电极/增益hfe最小值 50
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
峰值直流集电极电流 100 mA
最低工作温度 - 65 C
典型电阻器比率 1
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
零件号别名 BCR191E6327HTSA1 SP000010810
RoHS RoHS Compliant
身高 1 mm
宽度 1.3 mm
长度 2.9 mm
品牌 Infineon Technologies
连续集电极电流 100 mA

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