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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPD50N04S308ATMA1 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252

内部编号

173-IPD50N04S308ATMA1

生产厂商

Infineon Technologies AG

infineon

#1

 数量:5471
1+¥3.9295
25+¥3.6213
100+¥3.4672
500+¥3.3131
1000+¥3.159
最小起订金额:￥￦600
新加坡
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税
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IPD50N04S308ATMA1产品详细规格

最大门源电压 ±20
安装 Surface Mount
包装宽度 6.22
PCB 2
最大功率耗散 68000
最大漏源电压 40
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 7.5@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 TO-252
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 175
渠道类型 N
包装长度 6.5
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 2.3
最大连续漏极电流 50
标签 Tab
铅形状 Gull-wing

IPD50N04S308ATMA1系列产品

型号厂家产品描述
IPD50N04S3-08 infineon technologies Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD50N04S3-09 Infineon Technologies MOSFET N-Channel 40V MOSFET
IPD50N04S309ATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD50N04S4-08 Infineon Technologies MOSFET N-Channel 40V MOSFET
IPD50N04S4-10 Infineon Technologies MOSFET N-Channel 40V MOSFET
IPD50N04S4L-08 Infineon Technologies MOSFET N-Channel 40V MOSFET
IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 40V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD50N03S2-07 Infineon Technologies MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 50A 7.3mOhm
IPD50N03S207ATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD50N03S2L-06 infineon technologies Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
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IPD50N03S4L-06 infineon technologies Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD50N03S4L06ATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD50N06S2-14 infineon technologies Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD50N06S214ATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD50N06S2L-13 infineon technologies Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD50N06S2L13ATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 55V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252
IPD50N06S3-07 Infineon Technologies MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 6.9mOhms
IPD50N06S3-09 Infineon Technologies MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 50A 9.0mOhms
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