图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:1000 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:400 |
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最小起订量:1 阿姆斯特丹 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:400 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
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| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | - |
| 电流 - 暗（ID）（最大值） | 100nA |
| 波长 | 880nm |
| 可视角度 | 28° |
| 功率 - 最大 | 125mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 取向 | Top View |
| 包/盒 | 2-SMD, No Lead |
| 最大功率耗散 | 125 mW |
| 封装/外壳 | CSMD |
| 最高工作温度 | + 125 C |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装 | Reel |
| 类型 | Photodetector Transistors |
| 输出下降时间 | 15 µs |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 发射极 - 集电极击穿电压 | 5 V |
| 系列名称 | Phototransistor |
| 封装形式 | Surface Mount (Glass Lens) |
| 工作温度范围 | -55 °C to 125 °C [-67 °F to 257 °F] |
| 灯电流最大 | 8.0 mA |
| 包装内容 | Ceramic |
| 功率耗散 | 125 mW |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | 30 V |
| 输出上升时间 | 15 µs |
| 暗电流 | 100 nA |
| 密封形式 | Ceramic |
| 上升和下降时间 | 15 µs |
| 光电流最小 | 3.0 mA |
| 产品类型 | IR Component |
| 子类别 | Interface Misc |
| 交货期 | 84 Days |
| 电流 - 暗（ Id）（最大） | 100nA |
| 定位 | Top View |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 可视角度 | 28° |
| 功率 - 最大 | 125mW |
| 标准包装 | 1,000 |
| 波长 | 880nm |
| 封装/外壳 | 2-SMD, No Lead |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| Angular Response (Degree) | 28 |
| 包装类型 | Surface Mount (Glass Lens) |
| 工作温度 | -55 °C to 125 °C [-67 °F to 257 °F] |
| 评论 | Tape and Reel, Inverted |
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