图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:880 |
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最小起订量:1 美国纽约 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:497 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:875 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
 Infrared Sensors Line Guide |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 4mA |
| 电流 - 暗（ID）（最大值） | 100nA |
| 波长 | - |
| 可视角度 | 18° |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 安装类型 | Through Hole |
| 取向 | Top View |
| 包/盒 | TO-46-3 Metal Can |
| 产品种类 | Phototransistors |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 封装/外壳 | TO-46 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | 30 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
| 下降时间 | 15 us |
| 最高工作温度 | + 125 C |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 产品 | Phototransistors |
| 上升时间 | 15 us |
| 类型 | Photodetector Transistors |
| 波长 | 880 nm |
| 极性 | NPN |
| 标准包装名称 | TO-206-AB |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 125 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.4 |
| 最大上升时间 | 15000(Typ) |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 最大下降时间 | 15000(Typ) |
| 最大暗电流 | 100 |
| 最大光电流 | 4000(Min) |
| 最大功率耗散 | 150 |
| 最大的发射极集电极电压 | 5 |
| 供应商封装形式 | TO-46 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 光电晶体管类型 | Phototransistor |
| 半强度角度 | 18 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 匹配代码 | SD5443-002 |
| 探测角度 | 5° |
| V（ CEO ） | 30V |
| 包装 | TO46 |
| 单位包 | 100 |
| 标准的提前期 | 11 weeks |
| 最小起订量 | 100 |
| Sens.range分 | 150nm |
| 上升/下降时间 | 15ns |
| 封装 | INDIVIDUAL |
| SMD / THT | THT |
| 暗电流为100nA | 4nA |
| 汽车 | NO |
| Max.sensivity | 880nm |
| Sens.range最大 | 18nm |
| 发射极 - 集电极击穿电压 | 5 V |
| 系列名称 | Phototransistor |
| 封装形式 | T0-46, Dome Lensed |
| 工作温度范围 | -55 °C to 125 °C [-67 °F to 257 °F] |
| 包装内容 | Metal |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 暗电流 | 100 nA |
| 上升和下降时间 | 15 µs |
| 光电流最小 | 4.0 mA |
| 产品类型 | IR Component |
| 子类别 | Phototransistor |
| 交货期 | 33 Days |
| 电流 - 暗（ Id）（最大） | 100nA |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 4mA |
| 定位 | Top View |
| 安装类型 | Through Hole |
| 系列 | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 可视角度 | 18° |
| 功率 - 最大 | 150mW |
| 标准包装 | 1 |
| 封装/外壳 | TO-46-3 Metal Can |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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