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| 规格书 |
 MRF8S26120HR3,HSR3 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 250 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 2.7GHz |
| 增益 | 15.6dB |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 额定电流 | - |
| 噪声系数 | - |
| 电流 - 测试 | 900mA |
| Power - 输出功率 | 28W |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 包/盒 | NI-780 |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 供应商封装形式 | NI-780 |
| 标准包装名称 | NI-780 |
| 最大频率 | 2690 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 225 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 输出功率 | 28 |
| Typical Drain Efficiency | 31.1 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 典型功率增益 | 15.6 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大漏源电压 | 65 |
| 引脚数 | 3 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 标准包装 | 250 |
| 供应商设备封装 | NI-780 |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 频率 | 2.7GHz |
| 增益 | 15.6dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 电流 - 测试 | 900mA |
| 功率 - 输出 | 28W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 10 V |
| 连续漏极电流 | 900 mA |
| 系列 | MRF8S26120H |
| 单位重量 | 0.226635 oz |
| 输出功率 | 28 W |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 65 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
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