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厂商型号

MRF8P9210NR3 

产品描述

Transistors RF MOSFET Power HV8 900MHz 63W

内部编号

146-MRF8P9210NR3

#1

数量:0
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美国加州
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MRF8P9210NR3产品详细规格

规格书 MRF8P9210NR3 datasheet 规格书
MRF8P9210NR3
标准包装 250
晶体管类型 N-Channel
频率 920MHz ~ 960MHz
增益 16.8dB
电压 - Test 28V
当前 Rating -
噪声系数 -
当前 - Test 750mA
Power - 输出功率 63W
电压 - 额定 70VDC
包/盒 NI-780-4
供应商器件封装 NI-780-4
包装材料 Tape & Reel (TR)
RoHS RoHS Compliant
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率 0.92 GHz to 0.96 GHz
增益 16.9 dB at 940 MHz
输出功率 63 W
漏源击穿电压 70 V
源极击穿电压 10 V
最高工作温度 + 150 C
封装/外壳 OM-780-4
封装 Reel
安装风格 SMD/SMT
供应商封装形式 OM-780 EP
最大频率 960
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 225
通道模式 Enhancement
输出功率 63(Typ)
Typical Drain Efficiency 46.7
渠道类型 N
典型功率增益 16.8
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -65
最大漏源电压 70
引脚数 5
晶体管类型 N-Channel
电压 - 额定 70VDC
标准包装 250
供应商设备封装 NI-780-4
电压 - 测试 28V
电流 - 测试 750mA
功率 - 输出 63W
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
系列 MRF8P9210N
单位重量 0.108683 oz
安装 Surface Mount
工作温度范围 -65C to 225C
包装类型 OM-780 EP
元件数 1
操作模式 1-Carrier W-CDMA
筛选等级 Military
弧度硬化 No
频率(最大) 960 MHz
频率(最小值) 920 MHz
漏源电压(最大值) 70 V

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