图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 标准包装 | 500 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 2GHz |
| 增益 | 11.5dB |
| 电压 - Test | 26V |
| 当前 Rating | 1µA |
| 噪声系数 | - |
| 当前 - Test | 75mA |
| Power - 输出功率 | 10W |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 包/盒 | NI-200Z |
| 供应商器件封装 | NI-200Z |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称； |
| 包装 | 3NI-200Z |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 65 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 工作温度 | -65 to 200 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 供应商封装形式 | NI-200Z |
| 标准包装名称 | NI-200Z |
| 最大频率 | 2600 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 最低工作温度 | -65 |
| Typical Drain Efficiency | 40 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 典型功率增益 | 11.5 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 典型输入电容@ VDS | 15@26V |
| 最大功率耗散 | 60000 |
| 最大漏源电压 | 65 |
| 引脚数 | 3 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 供应商设备封装 | NI-200Z |
| 电压 - 测试 | 26V |
| 频率 | 2GHz |
| 增益 | 11.5dB |
| 封装/外壳 | NI-200Z |
| 电流 - 测试 | 75mA |
| 额定电流 | 1µA |
| 功率 - 输出 | 10W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | MRF282ZR1CT |
| associated | 698840 MRF9045LR1 00DSA |
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