图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MRF21030LR3 

产品描述

Transistors RF MOSFET Power 30W 2.2GHZ LDMOS NI400L

内部编号

146-MRF21030LR3

#1

数量:363
1+¥473.3182
25+¥439.4932
100+¥421.4635
500+¥404.8207
1000+¥384.5565
最小起订金额:¥₩600
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MRF21030LR3产品详细规格

规格书 MRF21030LR3 datasheet 规格书
MRF21030 Series
文档 RF Devices 28/Jun/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 RF Devices Discontinuation 28/Jun/2011
标准包装 250
晶体管类型 LDMOS
频率 2.14GHz
增益 13dB
电压 - 测试 28V
额定电流 1µA
噪声系数 -
电流 - 测试 250mA
Power - 输出功率 30W
电压 - 额定 65V
包/盒 NI-400
供应商器件封装 NI-400
包装材料 Tape & Reel (TR)
产品种类 Transistors RF MOSFET Power
RoHS RoHS Compliant
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率 2 GHz to 2.2 GHz
增益 14 dB
输出功率 3.5 W
漏源击穿电压 65 V
源极击穿电压 - 0.5 V, + 15 V
最高工作温度 + 150 C
封装/外壳 NI-400-3
封装 Reel
最低工作温度 - 65 C
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 83.3 W
寿命 Obsolete
晶体管类型 LDMOS
电压 - 额定 65V
标准包装 250
供应商设备封装 NI-400
电压 - 测试 28V
电流 - 测试 250mA
额定电流 1µA
功率 - 输出 30W
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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