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| 规格书 |
 MRF1570N Series |
| 标准包装 | 500 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 470MHz |
| 增益 | 11.5dB |
| 电压 - Test | 12.5V |
| 当前 Rating | 1µA |
| 噪声系数 | - |
| 当前 - Test | 800mA |
| Power - 输出功率 | 70W |
| 电压 - 额定 | 40V |
| 包/盒 | TO-272AA |
| 供应商器件封装 | TO-272-6 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8TO-272 EP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 工作温度 | -65 to 200 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 供应商封装形式 | TO-272 WARP |
| 标准包装名称 | TO-272 WARP |
| 最大频率 | 470 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 输出功率 | 70 |
| 最低工作温度 | -65 |
| Typical Drain Efficiency | 60 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 典型功率增益 | 11.5 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 典型输入电容@ VDS | 500(Max)@12.5V |
| 最大功率耗散 | 165000 |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 引脚数 | 9 |
| 铅形状 | J-Lead |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 40V |
| 供应商设备封装 | TO-272-8 Wrap |
| 电压 - 测试 | 12.5V |
| 频率 | 470MHz |
| 增益 | 11.5dB |
| 封装/外壳 | TO-272-8 |
| 电流 - 测试 | 800mA |
| 额定电流 | 1µA |
| 功率 - 输出 | 70W |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Dual |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | MRF1570N |
| 单位重量 | 0.045059 oz |
| 功率耗散 | 165 W |
| 输出功率 | 70 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
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