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厂商型号

B82422H1682J 

产品描述

Ind Power Chip Molded Wirewound 6.8uH 5% 2.52MHz 10Q-Factor Ferrite 570mA 1210 Blister T/R

内部编号

125-B82422H1682J

生产厂商

epcos (tdk)

epcos

#1

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美国费城
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B82422H1682J产品详细规格

规格书 B82422H1682J datasheet 规格书
文档 B82422x Material 07/Oct/2011
标准包装 2,000
封装/外壳 1210
类型 Power Chip
电感 6.8 uH
最大直流电流 570 mA
容差 5 %
最大直流电阻 350 mOhm
最小质量系数 10@2.52MHz
芯材 Ferrite
产品厚度 2.7 mm
产品高度 2.4 mm
标准包装 Tape & Reel
最大直流电阻 350m
产品长度 3.4
欧盟RoHS指令 Compliant
Minimum Self Resonant Frequency 35M
最大直流电流 570m
保护方式 Molded
产品厚度 2.7
产品高度 2.4
封装 Blister Tape and Reel
测试频率 2.52M
最高工作温度 150
表壳尺寸 1210
技术 Wirewound
额定电流 570mA
直流电阻(DCR ) 350 mOhm Max
高度 - 座高(最大) *
材料 - 芯 Ferrite
频率 - 自谐振 35MHz
屏蔽 Unshielded
供应商设备封装 *
尺寸/尺寸 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Q因子@频率 10 @ 2.52MHz
安装类型 Surface Mount
封装/外壳 2-SMD
频率 - 测试 2.52MHz
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
CaseSize 1210
Current,Rating 0.57A
外形尺寸 3.2mmL×2.2mmW×2.5mmH
Frequency,SelfResonant 35MHz
QFactor 8
Resistance,DC 0.35Ohms
端子 SMT

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