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#1 |
数量:6000 |
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规格书 |
ZXTPS718MC |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
晶体管类型 | PNP + Diode (Isolated) |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 3.5A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 20V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 300mV @ 350mA, 3.5A |
电流 - 集电极截止(最大) | 25nA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 150 @ 2A, 2V |
功率 - 最大 | 3W |
频率转换 | 180MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-WDFN Exposed Pad |
供应商器件封装 | 8-DFN (3x2) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 8DFN EP |
类型 | PNP |
引脚数 | 8 |
最大集电极发射极电压 | 20 V |
集电极最大直流电流 | 3.9 A |
最小直流电流增益 | 300@10mA@2V|300@100mA@2V|150@2A@2V|15@6A@2V |
最大工作频率 | 180(Typ) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.03@10mA@0.1A|0.22@20mA@1A|0.25@50mA@1.5A|0.35@150mA@2.5A|0.3@350mA@3.5A V |
最大集电极基极电压 | 25 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 2450 mW |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
集电极最大直流电流 | 3.9 |
最低工作温度 | -55 |
Maximum Transition Frequency | 180(Typ) |
包装宽度 | 2 |
PCB | 8 |
最大功率耗散 | 2450 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 25 |
最大集电极发射极电压 | 20 |
供应商封装形式 | DFN EP |
标准包装名称 | DFN |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 3 |
包装高度 | 0.78 |
最大基地发射极电压 | 7 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | No Lead |
单位包 | 3000 |
最小起订量 | 3000 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 3.5A |
晶体管类型 | PNP + Diode (Isolated) |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 180MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 300mV @ 350mA, 3.5A |
电流 - 集电极截止(最大) | 25nA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 20V |
供应商设备封装 | 8-DFN (3x2) |
功率 - 最大 | 3W |
封装/外壳 | 8-WDFN Exposed Pad |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 150 @ 2A, 2V |
其他名称 | ZXTPS718MCTATR |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
RoHS | RoHS Compliant |
频率 - 跃迁 | 180MHz |
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 350mA, 3.5A |
晶体管类型 | PNP + Diode (Isolated) |
电流 - 集电极截止(最大值) | 25nA |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 150 @ 2A, 2V |
功率 - 最大值 | 3W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 3.5A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V |
系列 | ZXTPS71 |
品牌 | Diodes Incorporated |
晶体管极性 | PNP |
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