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数量:2876 |
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| 规格书 |
 ZXTBM322 |
| 文档 |
MLP322, 832 Pkg 20/Dec/2010 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 4.5A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 20V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 270mV @ 125mA, 4.5A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 25nA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 200 @ 2A, 2V |
| 功率 - 最大 | 3W |
| 频率转换 | 140MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 3-MLP |
| 供应商器件封装 | 3-MLP/DFN (2x2) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 集电极最大直流电流 | 5 |
| 最小直流电流增益 | 200@10mA@2V|300@200mA@2V|200@2A@2... |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极基极电压 | 40 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 1(Max) |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 3000 |
| 最大基地发射极电压 | 7.5 |
| Maximum Transition Frequency | 140(Typ) |
| 封装 | Tape and Reel |
| PCB | 3 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 2 |
| 供应商封装形式 | MLP |
| 包装长度 | 2 |
| 最大集电极发射极电压 | 20 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 4.5A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 140MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 270mV @ 125mA, 4.5A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 25nA |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 20V |
| 供应商设备封装 | 3-MLP/DFN (2x2) |
| 功率 - 最大 | 3W |
| 封装/外壳 | 3-MLP |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 200 @ 2A, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | ZXTBM322TADKR |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 210 mV |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 7.5 V |
| 最大功率耗散 | 3000 mW |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 200 at 10 mA at 2 V, 300 at 200 mA at 2 V, 200 at 2 A at 2 V, 100 at 6 A at 2 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 |
| 增益带宽产品fT | 140 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 集电极最大直流电流 | 5 A |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
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