规格书 |
![]() ![]() ZXMN20B28K |
文档 |
Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 200V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 1.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 750 mOhm @ 2.75A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 8.1nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 358pF @ 25V |
功率 - 最大 | 2.2W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | TO-252-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3TO-252 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 200 V |
最大连续漏极电流 | 2.3 A |
RDS -于 | 750@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 17.8 ns |
典型上升时间 | 76.9 ns |
典型关闭延迟时间 | 44.7 ns |
典型下降时间 | 57.1 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±20 |
包装宽度 | 6.22(Max) |
PCB | 2 |
最大功率耗散 | 10200 |
最大漏源电压 | 200 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 750@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TO-252 |
标准包装名称 | DPAK |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 6.73(Max) |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 2.39(Max) |
最大连续漏极电流 | 2.3 |
封装 | Tape and Reel |
标签 | Tab |
铅形状 | Gull-wing |
P( TOT ) | 34.4W |
匹配代码 | ZXMN20B28KTC |
R( THJC ) | n.s.K/W |
LogicLevel | YES |
单位包 | 2500 |
标准的提前期 | 10 weeks |
最小起订量 | 2500 |
Q(克) | 6.6nC |
LLRDS (上) | 0.780Ohm |
汽车 | NO |
LLRDS (上)在 | 5V |
我(D ) | 2.3A |
V( DS ) | 200V |
技术 | FastSwitch |
的RDS(on ) at10V | 0.750Ohm |
无铅Defin | RoHS-conform |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 1.5A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
供应商设备封装 | TO-252-3 |
其他名称 | ZXMN20B28KTCTR |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 750 mOhm @ 2.75A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.2W |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 358pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 8.1nC @ 5V |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 2.3 A |
正向跨导 - 闵 | 6.13 S |
RDS(ON) | 750 mOhms |
功率耗散 | 4.3 W |
下降时间 | 57.1 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | TO-252-3 |
上升时间 | 76.9 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 200 V |
RoHS | RoHS Compliant |
栅极电荷Qg | 8.1 nC |
栅源电压(最大值) | �20 V |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-252 |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 200 V |
弧度硬化 | No |
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