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厂商型号

ZXMD63N02XTC 

产品描述

MOSFET Dual 20V N Chl HDMOS

内部编号

110-ZXMD63N02XTC

生产厂商

Diodes Inc.

diodes

#1

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美国费城
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ZXMD63N02XTC产品详细规格

规格书 ZXMD63N02XTC datasheet 规格书
ZXMD63N02XTC
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 4,000
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.4A
Rds(最大)@ ID,VGS 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 700mV @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 6nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 350pF @ 15V
功率 - 最大 870mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
供应商器件封装 8-MSOP
包装材料 Tape & Reel (TR)
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.4A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 700mV @ 250µA
供应商设备封装 8-MSOP
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 130 mOhm @ 1.7A, 4.5V
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 870mW
标准包装 4,000
漏极至源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss ) @ VDS 350pF @ 15V
闸电荷(Qg ) @ VGS 6nC @ 4.5V
封装/外壳 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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