图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 ZVP2120G |
| 文档 |
ZVN4206GV_footprnt |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 200mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 25 Ohm @ 150mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3.5V @ 1mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | - |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 100pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 4SOT-223 |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.2 A |
| RDS -于 | 25000@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 7(Max) ns |
| 典型关闭延迟时间 | 12(Max) ns |
| 典型下降时间 | 15(Max) ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 3.7(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大漏源电压 | 200 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 25000@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-223 |
| 标准包装名称 | SOT-223 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 6.7(Max) |
| 引脚数 | 4 |
| 包装高度 | 1.65(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 0.2 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 1000 |
| 最小起订量 | 1000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 200mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3.5V @ 1mA |
| 供应商设备封装 | SOT-223 |
| 其他名称 | ZVP2120GTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 25 Ohm @ 150mA, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 100pF @ 25V |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | - 200 mA |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 25 Ohms |
| 功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOT-223 |
| 上升时间 | 7 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 200 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 15 ns |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 100pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 25 Ohm @ 150mA, 10V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 200mA (Ta) |
| 栅极电压 (±V) | 20 |
| ESD二极管(Y/N) | N |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 类型 | FET |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 200 mA |
| 长度 | 6.7 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 25 Ohms |
| 系列 | ZVP2120 |
| 身高 | 1.65 mm |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| 技术 | Si |
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