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图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 4,000 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 4A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 150V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 260mV @ 400mA, 4A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 100 @ 1A, 5V |
| 功率 - 最大 | 1.2W |
| 频率转换 | 90MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 包装材料 | Bulk |
| 包装 | 3E-Line |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 150 V |
| 集电极最大直流电流 | 4 A |
| 最小直流电流增益 | 100@10mA@5V|100@1A@5V|35@4A@5V |
| 最大工作频率 | 90(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.04@5A@100mA|0.06@50mA@500mA|0.1@100mA@1A|0.26@400mA@4A V |
| 最大集电极基极电压 | 250 V |
| 工作温度 | -55 to 200 °C |
| 最大功率耗散 | 1200 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 集电极最大直流电流 | 4 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Maximum Transition Frequency | 90(Typ) |
| 包装宽度 | 2.41(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 1200 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 250 |
| 最大集电极发射极电压 | 150 |
| 供应商封装形式 | E-Line |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最高工作温度 | 200 |
| 包装长度 | 4.77(Max) |
| 包装高度 | 4.01(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 6 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 单位包 | 4000 |
| 最小起订量 | 4000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 4A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 90MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 260mV @ 400mA, 4A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 150V |
| 供应商设备封装 | E-Line (TO-92 compatible) |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - 最大 | 1.2W |
| 封装/外壳 | E-Line-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 1A, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 210 mV |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100 at 10 mA at 5 V, 100 at 1 A at 5 V, 35 at 4 A at 5 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 100 at 10 mA at 5 V |
| 增益带宽产品fT | 90 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 150 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 250 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 4 A |
| 集电极电流（DC ） | 4 A |
| 集电极 - 基极电压 | 250 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 150 V |
| 发射极 - 基极电压 | 6 V |
| 频率 | 90 MHz |
| 功率耗散 | 1.2 W |
| 工作温度范围 | -55C to 200C |
| 包装类型 | E-Line |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 100 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 系列 | ZTX855 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| Pd - Power Dissipation | 1.2 W |
| 身高 | 4.01 mm |
| 长度 | 4.77 mm |
ZTX855也可以通过以下分类找到
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