规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
2,000 |
晶体管类型 |
PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) |
2A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
100V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC |
500mV @ 200mA, 2A |
电流 - 集电极截止(最大) |
- |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE |
- |
功率 - 最大 |
1W |
频率转换 |
140MHz |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
供应商器件封装 |
TO-92-3 |
包装材料
|
Tape & Box (TB) |
包装 |
3E-Line |
类型 |
PNP |
引脚数 |
3 |
最大集电极发射极电压 |
100 V |
集电极最大直流电流 |
2 A |
最大工作频率 |
140(Typ) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 |
0.3@100mA@1A|0.5@200mA@2A V |
最大集电极基极电压 |
120 V |
工作温度 |
-55 to 200 °C |
最大功率耗散 |
1000 mW |
安装 |
Through Hole |
标准包装 |
Ammo Pack |
集电极最大直流电流 |
2 |
最低工作温度 |
-55 |
Maximum Transition Frequency |
140(Typ) |
包装宽度 |
2.41(Max) |
PCB |
3 |
最大功率耗散 |
1000 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
每个芯片的元件数 |
1 |
最大集电极基极电压 |
120 |
最大集电极发射极电压 |
100 |
供应商封装形式 |
E-Line |
标准包装名称 |
TO-92 |
最高工作温度 |
200 |
包装长度 |
4.77(Max) |
包装高度 |
4.01(Max) |
最大基地发射极电压 |
5 |
封装 |
Box |
铅形状 |
Through Hole |
P( TOT ) |
1W |
匹配代码 |
ZTX753STZ |
I(C ) |
2A |
V( CEO ) |
100V |
单位包 |
2000 |
标准的提前期 |
10 weeks |
最小起订量 |
2000 |
极化 |
PNP |
无铅Defin |
RoHS-conform |
V( CBO ) |
120V |
电流 - 集电极( Ic)(最大) |
2A |
晶体管类型 |
PNP |
安装类型 |
Through Hole |
频率 - 转换 |
140MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 |
500mV @ 200mA, 2A |
电流 - 集电极截止(最大) |
10µA (ICBO) |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
100V |
供应商设备封装 |
E-Line (TO-92 compatible) |
功率 - 最大 |
1W |
封装/外壳 |
E-Line-3, Formed Leads |
其他名称 |
ZTX753STZ-ND |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 |
2000 |
增益带宽产品fT |
140 MHz |
产品种类 |
Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 |
PNP |
发射极 - 基极电压VEBO |
- 5 V |
集电极 - 发射极最大电压VCEO |
100 V |
安装风格 |
Through Hole |
集电极 - 基极电压VCBO |
120 V |
最低工作温度 |
- 55 C |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 150 C |
RoHS |
RoHS Compliant |
连续集电极电流 |
- 2 A |