图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MMDT4413 |
| 文档 |
SOT-363 Package Side 2 SOT-363 Package Top SOT-363 Package Side 1 Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate Change 09/July/2007 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Encapsulate Change 09/July/2007 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | NPN, PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 600mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 750mV @ 50mA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 频率转换 | 250MHz, 200MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6SOT-363 |
| 类型 | NPN|PNP |
| 引脚数 | 6 |
| 最大集电极发射极电压 | 40 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.6 A |
| 最小直流电流增益 | 20@100uA@1V@NPN|40@1mA@1V@NPN|80@10mA@1V@NPN|100@150mA@1V@NPN|40@500mA@2V@NPN|30@100uA@1V@PNP|60@1mA@1V@PNP|100@10mA@1V@PNP|100@150mA@2V@PNP|20@500mA@2V@PNP |
| 最大工作频率 | 250(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.4@15mA@150mA|0.75@50mA@500mA V |
| 最大集电极基极电压 | 60@NPN|40@PNP V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 集电极最大直流电流 | 0.6 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Maximum Transition Frequency | 250(Min) |
| 包装宽度 | 1.35(Max) |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 200 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最大集电极基极电压 | 60@NPN|40@PNP |
| 最大集电极发射极电压 | 40 |
| 供应商封装形式 | SOT-363 |
| 标准包装名称 | SOT-26 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 2.2(Max) |
| 包装高度 | 1(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 6@NPN|5@PNP |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 600mA |
| 晶体管类型 | NPN, PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 250MHz, 200MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 750mV @ 50mA, 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | MMDT4413-FDICT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.75 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Dual |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 0.6 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :40V |
| 功耗 | :200mW |
| DC Collector Current | :600mA |
| DC Current Gain hFE | :100 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-363 |
| No. of Pins | :6 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Collector Emitter Voltage Vces | :750mV |
| Current Ic Continuous a Max | :600mA |
| Gain Bandwidth ft Typ | :250MHz |
| Hfe Min | :100 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 端接类型 | :SMD |
| Weight (kg) | 0.000006 |
| Tariff No. | 85412100 |
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