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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MMBTA56-7 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 100V 300mW

内部编号

110-MMBTA56-7

生产厂商

Diodes Inc.

DIODES

#1

期货
3000 ¥0.812

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

MMBTA56-7产品详细规格

规格书 MMBTA56-7 datasheet 规格书
MMBTA55,56
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 250mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 100mA, 1V
功率 - 最大 300mW
频率转换 50MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.5
最低工作温度 -55
安装 Surface Mount
Maximum Transition Frequency 50(Min)
包装宽度 1.3
PCB 3
最大功率耗散 300
类型 PNP
欧盟RoHS指令 Not Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 80
最大集电极发射极电压 80
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
最高工作温度 150
包装长度 2.9
引脚数 3
最小直流电流增益 100@10mA@1V|100@100mA@1V
包装高度 1
最大基地发射极电压 4
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 50MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 250mV @ 10mA, 100mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 SOT-23-3
功率 - 最大 300mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 100mA, 1V
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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