1. MMBT4124-7
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MMBT4124-7 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 25V 300mW

内部编号

110-MMBT4124-7

生产厂商

Diodes Inc.

diodes

#1

数量:19332
最小起订量:1
加拿大温哥华
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

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MMBT4124-7产品详细规格

规格书 MMBT4124-7 datasheet 规格书
MMBT4124
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 300mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 120 @ 2mA, 1V
功率 - 最大 300mW
频率转换 300MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.2
最小直流电流增益 120@2mA@1V|60@50mA@1V
欧盟RoHS指令 Not Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大功率耗散 300
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 300(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 30
供应商封装形式 SOT-23
最大集电极发射极电压 25
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 200mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 5mA, 50mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
供应商设备封装 SOT-23-3
功率 - 最大 300mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 120 @ 2mA, 1V
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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