图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MIMD10A |
| 文档 |
Green Encapsulate Change 09/July/2007 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Encapsulate Change 09/July/2007 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA, 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻 - 基地（R1）（欧姆） | 100, 10k |
| 电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆） | 10k |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 100 @ 1mA, 5V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率转换 | 250MHz, 200MHz |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6SOT-363 |
| 配置 | Dual |
| 类型 | NPN|PNP |
| 最大集电极发射极电压 | 50@NPN V |
| 峰值直流集电极电流 | 100@NPN|500@PNP mA |
| 最小直流电流增益 | 100@1mA@5V@NPN|68@PNP |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.3@1mA@10mA@NPN |
| 包装宽度 | 1.35(Max) |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 200 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 100@NPN|500@PNP |
| 最大集电极发射极电压 | 50@NPN |
| 供应商封装形式 | SOT-363 |
| 标准包装名称 | SOT-26 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 2.2(Max) |
| 引脚数 | 6 |
| 包装高度 | 1(Max) |
| 典型输入电阻 | 10@NPN|0.1@PNP |
| 封装 | Tape and Reel |
| 典型电阻器比率 | 0.01@PNP |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA, 500mA |
| 晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 频率 - 转换 | 250MHz, 200MHz |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 100, 10k |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 10k |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 1mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 典型输入电阻 | 10 KOhms, 0.1 KOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz, 200MHz |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 100, 10k |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1mA, 5V |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 10k |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA, 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 系列 | MIMD10 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 身高 | 1 mm |
| 长度 | 2.2 mm |
| 通道数 | 2 Channel |
| 连续集电极电流 | 100 mA, 500 mA |
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