图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 300mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 400V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 500mV @ 6mA, 50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 100 @ 50mA, 10V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 频率转换 | 50MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | NPN Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-transistors/14684?mpart=FZT458TA&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 包装 | 4SOT-223 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 4 |
| 最大集电极发射极电压 | 400 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.3 A |
| 最小直流电流增益 | 100@1mA@10V|100@50mA@10V|15@100mA@10V |
| 最大工作频率 | 50(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.2@2mA@20mA|0.5@6mA@50mA V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 3000 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.3 |
| Maximum Transition Frequency | 50(Min) |
| 包装宽度 | 3.7(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 3000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 400 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SOT-223 |
| 标准包装名称 | SOT-223 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 6.7(Max) |
| 最大集电极发射极电压 | 400 |
| 包装高度 | 1.65(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 7 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| P（ TOT ） | 2W |
| 匹配代码 | FZT458 |
| I（C ） | 0.3A |
| V（ CEO ） | 400V |
| 单位包 | 1000 |
| 标准的提前期 | 12 weeks |
| 最小起订量 | 1000 |
| 极化 | NPN |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 电流增益 | 100 |
| V（ CBO ） | 400V |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 300mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 50MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 6mA, 50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 400V |
| 供应商设备封装 | SOT-223 |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 50mA, 10V |
| 其他名称 | FZT458TR |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.5 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100 at 1 mA at 10 V, 100 at 50 mA at 10 V, 15 at 100 mA at 10 V |
| 直流电流增益hFE最大值 | 100 |
| 增益带宽产品fT | 50 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 400 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 0.3 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.3 A |
| 集电极 - 基极电压 | 400 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 400 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率（最大） | 50 MHz |
| 功率耗散 | 2 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-223 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 100 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 50 MHz |
| 集电极电流（DC ） | 0.3 A |
| 直流电流增益 | 100 |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :400V |
| 功耗 | :2W |
| DC Collector Current | :300mA |
| DC Current Gain hFE | :100 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-223 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Collector Emitter Voltage Vces | :200mV |
| Current Ic Continuous a Max | :300mA |
| Gain Bandwidth ft Typ | :50MHz |
| Hfe Min | :100 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 端接类型 | :SMD |
| Weight (kg) | 0.000112 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | PBHV8540Z 631954 |
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