规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
4,000 |
晶体管类型 |
NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) |
1A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
150V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC |
300mV @ 50mA, 500mA |
电流 - 集电极截止(最大) |
100nA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE |
100 @ 1mA, 10V |
功率 - 最大 |
1W |
频率转换 |
100MHz |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-243AA |
供应商器件封装 |
SOT-89-3 |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
4SOT-89 |
类型 |
NPN |
引脚数 |
4 |
最大集电极发射极电压 |
150 V |
集电极最大直流电流 |
1 A |
最小直流电流增益 |
100@1mA@10V|100@250mA@10V|50@500mA@10V|10@1A@10V |
最大工作频率 |
100(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 |
0.2@25mA@250mA|0.3@50mA@500mA V |
最大集电极基极电压 |
170 V |
工作温度 |
-65 to 150 °C |
最大功率耗散 |
1000 mW |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Tape & Reel |
单位包 |
4000 |
最小起订量 |
4000 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) |
1A |
晶体管类型 |
NPN |
安装类型 |
Surface Mount |
频率 - 转换 |
100MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 |
300mV @ 50mA, 500mA |
电流 - 集电极截止(最大) |
100nA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
150V |
供应商设备封装 |
SOT-89-3 |
封装 |
Tape & Reel (TR) |
功率 - 最大 |
1W |
封装/外壳 |
TO-243AA |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 |
100 @ 1mA, 10V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 |
4000 |
增益带宽产品fT |
100 MHz |
产品种类 |
Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 |
NPN |
发射极 - 基极电压VEBO |
5 V |
直流集电极/增益hfe最小值 |
100 at 1 mA at 10 V, 100 at 250 mA at 10 V, 50 at 500 mA at 10 V, 10 at 1 A at 10 V |
直流电流增益hFE最大值 |
100 at 1 mA at 10 V |
集电极 - 发射极最大电压VCEO |
150 V |
安装风格 |
SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO |
170 V |
最低工作温度 |
- 65 C |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 150 C |
RoHS |
RoHS Compliant |
集电极电流(DC ) |
1 A |
集电极 - 基极电压 |
170 V |
集电极 - 发射极电压 |
150 V |
发射极 - 基极电压 |
5 V |
频率 |
100 MHz |
功率耗散 |
1 W |
工作温度范围 |
-65C to 150C |
包装类型 |
SOT-89 |
元件数 |
1 |
直流电流增益 |
100 |
工作温度分类 |
Military |
弧度硬化 |
No |
系列 |
FCX49 |
品牌 |
Diodes Incorporated |
Pd - Power Dissipation |
1000 mW |
身高 |
1.6 mm |
长度 |
4.6 mm |