图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 DMS3014SFG |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 9.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 13 mOhm @ 10.4A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 45.7nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 4310pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerWDFN |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±12 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 0.8 |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 2100 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 13@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 3.3 |
| 供应商封装形式 | PowerDI |
| 包装长度 | 3.3 |
| PCB | 8 |
| 最大连续漏极电流 | 9.5 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | No Lead |
| 单位包 | 2000 |
| 最小起订量 | 2000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 供应商设备封装 | PowerDI3333-8 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 13 mOhm @ 10.4A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4310pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 45.7nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | DMS3014SFG-7DICT |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 45.7 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| 下降时间 | 6.6 ns |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | DIOFET |
| 配置 | 1 N-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 9.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 9 mOhms |
| 典型关闭延迟时间 | 33.1 ns |
| 系列 | DMS30 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 上升时间 | 24.4 ns |
| 技术 | Si |
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