图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:476 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:476 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:2465 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
 DMP2540UCB9 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 25V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 4A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 40 mOhm @ 2A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 450pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 9-UFBGA, WLBGA |
| 供应商器件封装 | U-WLB1515-9 (1.51x1.51) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | P-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/p-channel-logic-level-gate-fets/16481?mpart=DMP2540UCB9-7&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | U-WLB1515-9 (1.51x1.51) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 40 mOhm @ 2A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 450pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 6nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 9-UFBGA, WLBGA |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | DMP2540UCB9-7DICT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 连续漏极电流 | - 4 A |
| RDS（ON） | 40 mOhms |
| 功率耗散 | 1 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | U-WLB1515-9 |
| 栅极电荷Qg | 6 nC |
| 典型关闭延迟时间 | 56 ns |
| 上升时间 | 12 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | - 25 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 42 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 25 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 6 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 1.1 V |
| Qg - Gate Charge | 6 nC |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 33 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | DMP2540 |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 技术 | Si |
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