规格书 |
DMP2240UW |
文档 |
SOT-323 Package Side 2 SOT-323 Package Top SOT-323 Package Side 1 Bond Wire 11/Nov/2011 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 20V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 1.5A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 150 mOhm @ 2A, 4.5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 1V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | - |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 320pF @ 16V |
功率 - 最大 | 250mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | SC-70, SOT-323 |
供应商器件封装 | SOT-323 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3SOT-323 |
渠道类型 | P |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 20 V |
最大连续漏极电流 | 1.5 A |
RDS -于 | 150@4.5V mOhm |
最大门源电压 | ±12 V |
典型导通延迟时间 | 12.5 ns |
典型上升时间 | 10.3 ns |
典型关闭延迟时间 | 46.5 ns |
典型下降时间 | 22.2 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Tape & Reel |
最大门源电压 | ±12 |
包装宽度 | 1.35(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 250 |
最大漏源电压 | 20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 150@4.5V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | SOT-323 |
标准包装名称 | SC-70 |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 2.2(Max) |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 1(Max) |
最大连续漏极电流 | 1.5 |
封装 | Tape and Reel |
铅形状 | Gull-wing |
单位包 | 3000 |
最小起订量 | 3000 |
FET特点 | Logic Level Gate |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 1.5A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1V @ 250µA |
供应商设备封装 | SOT-323 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 150 mOhm @ 2A, 4.5V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 250mW |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 320pF @ 16V |
封装/外壳 | SC-70, SOT-323 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | DMP2240UWDICT |
工厂包装数量 | 3000 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | P-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 12 V |
连续漏极电流 | 1.5 A |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 150 mOhms at 4.5 V |
功率耗散 | 250 mW |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | SOT-323-3 |
上升时间 | 10.3 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 20 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 10.3 ns |
栅源电压(最大值) | �12 V |
漏源导通电阻 | 0.15 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | SOT-323 |
极性 | P |
类型 | Small Signal |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 20 V |
弧度硬化 | No |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
产品 | MOSFET Small Signal |
品牌 | Diodes Incorporated |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 P-Channel |
Id - Continuous Drain Current | - 1.5 A |
长度 | 2.2 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 150 mOhms |
系列 | DMP22 |
身高 | 1 mm |
Pd - Power Dissipation | 250 mW |
技术 | Si |
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