图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:2575 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#2 |
数量:1604 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:826 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
 DMN3051LDM |
| 文档 |
Leadframe Material Update 09/Apr/2014 RoHS Cert of Compliance |
| Status | Active |
| 包装 | 6SOT-26 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 4 A |
| RDS -于 | 38@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-26 |
| 包装高度 | 1.1 |
| 最大功率耗散 | 900 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 38@10V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 1.6 |
| 供应商封装形式 | SOT-26 |
| 包装长度 | 3 |
| PCB | 6 |
| 最大连续漏极电流 | 4 |
| 引脚数 | 6 |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | SOT-26 |
| 其他名称 | DMN3051LDM-7DI |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 38 mOhm @ 6A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 424pF @ 5V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 8.6nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 4 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 38 mOhms |
| 功率耗散 | 900 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 漏源导通电阻 | 0.038 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-26 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 4A (Ta) |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 4 A |
| 长度 | 3 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 64 mOhms |
| 系列 | DMN3051 |
| 身高 | 1.1 mm |
| Pd - Power Dissipation | 900 mW |
| 技术 | Si |
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