规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
3,000 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) |
30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
5.2A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
35 mOhm @ 5.2A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
- |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
390pF @ 15V |
功率 - 最大 |
1.4W |
安装类型
|
Surface Mount |
包/盒
|
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 |
SOT-23-3 |
包装材料
|
Tape & Reel (TR) |
包装 |
3SOT-23 |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
30 V |
最大连续漏极电流 |
5.2 A |
RDS -于 |
35@10V mOhm |
最大门源电压 |
±20 V |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
安装 |
Surface Mount |
标准包装 |
Tape & Reel |
最大门源电压 |
±20 |
包装宽度 |
1.3 |
PCB |
3 |
最大功率耗散 |
1400 |
最大漏源电压 |
30 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最大漏源电阻 |
35@10V |
每个芯片的元件数 |
1 |
最低工作温度 |
-55 |
供应商封装形式 |
SOT-23 |
标准包装名称 |
SOT-23 |
最高工作温度 |
150 |
渠道类型 |
N |
包装长度 |
2.9 |
引脚数 |
3 |
包装高度 |
1 |
最大连续漏极电流 |
5.2 |
封装 |
Tape and Reel |
铅形状 |
Gull-wing |
单位包 |
3000 |
最小起订量 |
6000 |
FET特点 |
Logic Level Gate |
安装类型 |
Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
5.2A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
3V @ 250µA |
封装/外壳 |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商设备封装 |
SOT-23-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
35 mOhm @ 5.2A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
1.4W |
漏极至源极电压(Vdss) |
30V |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
390pF @ 15V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 |
DMN3050SDICT |
工厂包装数量 |
3000 |
产品种类 |
MOSFET |
晶体管极性 |
N-Channel |
源极击穿电压 |
+/- 20 V |
连续漏极电流 |
5.2 A |
安装风格 |
SMD/SMT |
RDS(ON) |
35 mOhms |
功率耗散 |
1400 mW |
最低工作温度 |
- 55 C |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 150 C |
漏源击穿电压 |
30 V |
RoHS |
RoHS Compliant |