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| 规格书 |
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| 文档 |
Bond Wire 11/Nov/2011 Multiple Device Changes 29/Apr/2013 Discrete Family 24/Jul/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 9A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 18.5 mOhm @ 9A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 25nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 741pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 3.95(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大功率耗散 | 2500 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 18.5@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SO |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 4.95(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 1.5(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 9 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 单位包 | 2500 |
| 最小起订量 | 2500 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.1V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商设备封装 | 8-SOP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 18.5 mOhm @ 9A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 741pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 25nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | DMN3031LSSDICT |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 9 A |
| RDS（ON） | 18.5 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 2500 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 上升时间 | 4.4 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 9.4 ns |
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