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数量:2000 |
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| 规格书 |
 DMN3029LFG |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 5.3A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 18.6 mOhm @ 10A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.8V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 11.3nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 580pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Cut Tape (CT) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 5.3A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.8V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | PowerDI3333-8 |
| 其他名称 | DMN3029LFG-7DICT |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 18.6 mOhm @ 10A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 580pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 11.3nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 系列 | DMN3029LFG |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 通道数 | 1 Channel |
| 技术 | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
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