图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:6000 |
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最小起订量:3000 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:6503 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:6503 |
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最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
DMN2600UFB |
| 文档 |
RoHS Cert of Compliance |
| 最大门源电压 | ±8 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | DFN |
| 包装高度 | 0.47 |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 540 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 350@4.5V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 25 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 0.6 |
| 供应商封装形式 | DFN |
| 包装长度 | 1 |
| PCB | 3 |
| 最大连续漏极电流 | 1.3 |
| 引脚数 | 3 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.3A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 3-UFDFN |
| 供应商设备封装 | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| 其他名称 | DMN2600UFB-7DI |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 350 mOhm @ 200mA, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 540mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 70.13pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 0.85nC @ 4.5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.3A (Ta) |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品 | MOSFET Small Signal |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 系列 | DMN26 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| Id - Continuous Drain Current | 1.3 A |
| 通道数 | 2 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 600 mOhms |
| 配置 | Single with Gate Protection Diode |
| 技术 | Si |
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