图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 文档 |
Bond Wire 11/Nov/2011 Multiple Device Changes 29/Apr/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 11.6A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 10 mOhm @ 11.6A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 27.6nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1289pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.43W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8SO |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 11.6 A |
| RDS -于 | 10@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 7.04 ns |
| 典型上升时间 | 17.52 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 36.13 ns |
| 典型下降时间 | 19.67 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 单位包 | 2500 |
| 最小起订量 | 2500 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 11.6A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 8-SOP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 10 mOhm @ 11.6A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.43W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1289pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 27.6nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | DMG8880LSS-13DICT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 连续漏极电流 | 11.6 A |
| RDS（ON） | 7 mOhms |
| 功率耗散 | 1.43 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOIC-8 |
| 栅极电荷Qg | 27.6 nC |
| 上升时间 | 17.52 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 19.67 ns |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 漏源导通电阻 | 0.01 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SO |
| 引脚数 | 8 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 弧度硬化 | No |
DMG8880LSS-13也可以通过以下分类找到
DMG8880LSS-13相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家